Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

ชนิดของ อุปกรณ์กึ่งตัวนำ

เปลี่ยนมุมมองหมวดหมู่
ผลการค้นหา: 51
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 86มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 106มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 389มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 611มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM 539มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns 551มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL 230มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns 215มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 936มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 786มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,882มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 1,044มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8 651มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4,005มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 135มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 134มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 755มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
48031/7/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 1,709มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 2,319มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 695มีอยู่ในสต็อก
1,35029/7/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1