TBC8x7 Bipolar Junction Transistors

Toshiba TBC8x7 Bipolar Junction Transistors (BJTs) are available in both NPN and PNP polarities. These transistors are offered in a compact, surface-mount SOT23-3 package. Toshiba TBC8x7 BJTs feature a wide storage temperature (Tstg) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (TJ)of +150°C. These transistors are ideal for use in low-frequency amplifiers and communication devices.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ การกำหนดคุณสมบัติ ค่าสูงสุดของตัวสะสมกระแสไฟตรง ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO แรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาเบส VCBO แรงดันระหว่างอิมิเตอร์และขาเบส VEBO แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์ Pd - กำลังงานสูญเสีย เกนแบนด์วิธโปรดักท์ fT ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ระดับ การบรรจุ

Toshiba Bipolar Transistors - BJT BJT NPN 0.15A 50V 24,317มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN Single 150 mA 50 V 60 V 6 V 170 mV 320 mW 100 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V 8,863มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 150 mA 50 V 50 V 5 V 220 mV 320 mW 80 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel