LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FETs

Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FETs include an integrated driver and protection for switch-mode power converters. The LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that allows switching speeds up to 150V/ns. The device implements TI’s integrated precision gate bias, resulting in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, supplies clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. An adjustable gate drive strength permits control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD สินค้า ประเภท รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ จำนวนไดร์ฟเวอร์ จำนวนขาออก กระแสขาออก (1) การจ่ายแรงดัน (ต่ำสุด) การจ่ายแรงดัน (สูงสุด) การกำหนดคุณสมบัติ ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ระดับ การบรรจุ
Texas Instruments Gate Drivers Automotive 650-V 30- m? GaN FET with int 280มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SMD/SMT VQFN-52 2.8 ns 22 ns - 40 C + 150 C LMG3522R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Gate Drivers Automotive 650-V 30- m? GaN FET with int ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 12 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 2,000
หลายรายการ: 2,000
ม้วน: 2,000

Power Switch ICs High Side Switch SMD/SMT VQFN-52 1 Output 50 mA 7.5 V 18 V - 40 C + 125 C LMG3522R030 Reel
Texas Instruments Gate Drivers 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 12 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 2,000
หลายรายการ: 2,000
ม้วน: 2,000
Driver ICs - Various Half-Bridge SMD/SMT VQFN-52 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Non-Inverting 4.3 ns 22 ns - 40 C + 125 C LMG3522R030 Reel