ตัวขับมอสเฟต MP1918 ขนาด 100V ที่ทำงานแบบ Half-Bridge ด้วยพลังของสารกึ่งตัวนำ GaN
Monolithic Power Systems (MPS) MP1918 100V Half-Bridge GaN MOSFET Driver ได้รับการออกแบบมาเพื่อขับเคลื่อนโหมดเพิ่มประสิทธิภาพของ Gallium Nitride (GaN) FET หรือ N-channel MOSFET Monolithic Power Systems (MPS) MP1918 มีคุณสมบัติอินพุต PWM แบบอิสระด้านสูง (HS) และด้านต่ำ (LS) และใช้เทคนิคบูตสแตรปสำหรับแรงดันไฟไดรเวอร์ HS อุปกรณ์นี้ทำงานได้ถึง 100V โดยมีเทคโนโลยีการชาร์จที่ป้องกันไม่ให้แรงดันไฟฟ้าของไดรเวอร์ HS เกิน VCC ซึ่งจะช่วยป้องกันไม่ให้เกตเกินค่าแรงดันไฟฟ้าเกตถึงซอร์สสูงสุดของ GaN FET
