ไดรเวอร์ GaN/MOSFET แบบ Half-Bridge MPQ1918
ไดรเวอร์ GaN/MOSFET แบบ Half-Bridge ของ Monolithic Power Systems (MPS) MPQ1918 ได้รับการออกแบบมาเพื่อขับ FET แบบแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) หรือ MOSFET แบบ N-channel ที่มีแรงดันไฟฟ้าช่วงเกตต่ำ ตัวขับแบบ Half-bridge เหล่านี้ ต่างนําเสนออินพุตการปรับความกว้างพัลส์เพื่อเปรียบเทียบ (PWM) ฝั่งสูง (HS) และฝั่งต่ำ (LS) ได้แบบอิสระ ตัวขับแบบ Half-bridge MPQ1918 นําเสนอเทคนิคบูตสแตรปสําหรับแรงดันไดรเวอร์ HS เพื่อการทํางานได้สูงสุดถึง 100VDC ตัวขับเหล่านี้มีช่วงแรงดันไฟ 3.7V ถึง 5.5V (VCC), ความต้านทานแบบดึงลง/ดึงขึ้น 0.27Ω/1.2Ω และเอาต์พุตเกตแยกต่างหาก สําหรับความสามารถในการเปิดและปิดในแบบปรับได้ ตัวขับ Half-bridge MPQ1918 มีคุณสมบัติตรงตามมาตรฐาน AEC-Q100 Grade 1 และวางจําหน่ายในแพ็คเกจ FCQFN-14 การใช้งานทั่วไปได้แก่ อุปกรณ์แปลงสัญญาณแบบ Half-bridge และ Full-bridge, อุปกรณ์ขยายสัญญาณคลาส D, อุปกรณ์แปลงแรงดันไฟแบบซิงโครนัสบัค (synchronous buck), และโมดูลต่างๆ ที่ทำงานในพลังงาน
