PWD5F60 High Density Power Driver

STMicroelectronics PWD5F60 High Density Power Driver combines gate drivers and four N-channel power MOSFETs in a dual half-bridge configuration into a single, compact System-in-Package (SiP) device. The integrated power MOSFETs have a drain-source on resistance, or RDS(ON), of 1.38Ω and a drain-source breakdown voltage of 600V. The high side for the embedded gate drivers can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The high integration of the PWD5F60 Power Driver enables efficient drive loads in space-constrained applications.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD สินค้า
ประเภท
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
จำนวนไดร์ฟเวอร์
จำนวนขาออก
กระแสขาออก (1)
การจ่ายแรงดัน (ต่ำสุด)
การจ่ายแรงดัน (สูงสุด)
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ระดับ
การบรรจุ
STMicroelectronics Gate Drivers High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
เอกสารข้อมูลสินค้า
403มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Gate Drivers High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
เอกสารข้อมูลสินค้า
324มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Tray