วงจรขับเกตแชนเนลเดี่ยวแบบแยก NCV51752

ตัวขับเกตแชนเนลเดี่ยวแบบแยก NCV51752 ของ Onsemi นั้นได้รับการออกแบบมา เพื่อให้สวิตชิ่งพลังงาน MOSFET และสวิตช์พลังงาน SiC MOSFET ได้อย่างรวดเร็ว NCV51752 นําเสนอกระแสไฟสูงสุดในการซิงก์ 4.5 A source/9A และการหน่วงเวลาการแพร่กระจายสั้น/จับคู่ เพื่อให้มีความน่าเชื่อถือมากขึ้น โดยมีความต้านทาน dV/dt ที่ดีขึ้น และปิดการทํางานได้เร็วขึ้น NCV51752 จะสร้างรางไบอัสด้านลบ ไดรเวอร์ Onsemi มีฟังก์ชันการป้องกันที่จําเป็นอื่นๆ เช่น การปิดกั้นแรงดันไฟต่ำเกินไปแบบอิสระสําหรับไดรเวอร์ทั้งสองด้าน เป็นต้น NCV51752 ที่มีคุณสมบัติตรงตามมาตรฐาน AEC-Q100 โดยวางจําหน่ายในแพ็กเกจ SOIC-8 ขนาด 4 มม. ซึ่งสามารถรองรับแรงดันไฟแบบแยกส่วนได้สูงสุดถึง 3.75kV_RMS