ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

2SD1628F-TD-H

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

863-2SD1628F-TD-H

หมายเลข Mfr.:

2SD1628F-TD-H

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 20V

วัฏจักร:

เลิกใช้

เอกสารข้อมูลสินค้า:

2SD1628F-TD-H เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

การแจ้งการจัดส่ง:

Mouser ไม่ได้จำหน่ายสินค้านี้ในประเทศของคุณในขณะนี้

สินค้าพร้อมส่ง

สต็อก:: เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง

ตัวเลือกอื่นสำหรับบรรจุภัณฑ์

Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน:

2SD1628F-TD-E

การบรรจุ:

Reel, Cut Tape, MouseReel

สินค้าพร้อมส่ง:

มีอยู่ในสต็อก

ราคา:

฿33.15

จำนวนขั้นต่ำ:

สินค้าที่เหมือนกัน

Mfr.:

onsemi

หมายเลข Mfr.:

2SD1628F-TD-E

คำอธิบาย:

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 20V

วัฏจักร:

จนถึงสิ้นสุด: มีกำหนดยกเลิกสินค้า และผู้ผลิตจะยกเลิกการผลิตสินค้านี้

เปรียบเทียบกับส่วนปัจจุบัน

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT
การควบคุมในการจัดส่ง:	Mouser ไม่ได้จำหน่ายสินค้านี้ในประเทศของคุณในขณะนี้
มาตรฐาน RoHS:
REACH - SVHC:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	TO-243-3
ขั้วทรานซิสเตอร์:	NPN
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ค่าสูงสุดของตัวสะสมกระแสไฟตรง:	5 A
ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO:	20 V
แรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาเบส VCBO:	60 V
แรงดันระหว่างอิมิเตอร์และขาเบส VEBO:	6 V
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์:	500 mV
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	500 mW
เกนแบนด์วิธโปรดักท์ fT:	120 MHz
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 150 C
ระดับ:	2SD1628
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
การบรรจุ:	MouseReel
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
คอลเลกเตอร์กระแสตรง/อัตราขยายผ่านเบส Hfe ต่ำสุด:	120
กระแสไฟตรงที่รับค่า hFE สูงสุด:	560
ประเภทสินค้า:	BJTs - Bipolar Transistors
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	1000
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
น้ำหนักต่อหน่วย:	130 mg