โมดูล MOSFET – Mouser ไทย

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET ชนิด SiC NXH0x0F120MNF1

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 ของ onsemi เป็นโมดูลกําลังที่ประกอบไปด้วยตัวเชื่อมต่อแบบ full bridge และเทอร์มิสเตอร์ในแพ็คเกจ F1 MOSFET เหล่านี้มีเทอร์มิสเตอร์และพินแบบกดประกอบ โมดูล NXH0x0F120MNF1 มีตัวเลือก TIM แบบทาวัสดุอินเทอร์เฟซทางความร้อน (TIM) ล่วงหน้าและแบบไม่ได้ทาวัสดุ TIM ล่วงหน้า โมดูลเหล่านี้เหมาะสำหรับการใช้ในอินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ อุปกรณ์สำรองไฟฟ้า สถานีชาร์จยานยนต์ไฟฟ้า และระบบกำลังไฟอุตสาหกรรม โมดูล NXH0x0F120MNF1 ปราศจากสารตะกั่ว ฮาไลด์ และสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS โมดูลเหล่านี้มาในช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บ -40°C ถึง 150°C และช่วงอุณหภูมิจุดเชื่อมต่อการทํางาน -40°C ถึง 175°C

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

ผลการค้นหา: 6

ตัวกรองที่ใช้งาน:

รูปแบบการติด

หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์

ขั้วทรานซิสเตอร์

Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source

Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง

Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on

Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส

Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ

ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน

ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน

Pd - กำลังงานสูญเสีย

ระดับ

รีเซ็ตทั้งหมด

ค้นหาภายในผลการค้นหา

มีอยู่ในสต็อก

เก็บสต็อกตามปกติ

ใช้งานอยู่

ผลิตภัณฑ์ใหม่

เป็นไปตาม RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }