CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

ชนิดของ ทรานซิสเตอร์

เปลี่ยนมุมมองหมวดหมู่
ผลการค้นหา: 8
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS ประเภทสินค้า เทคโนโลยี รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS 281มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS 226มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS 181มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS 288มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
7203/8/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
240ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS ระยะเวลาดำเนินการ 52 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 52 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel