STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD สินค้า
ประเภท
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
จำนวนไดร์ฟเวอร์
จำนวนขาออก
กระแสขาออก (1)
การจ่ายแรงดัน (ต่ำสุด)
การจ่ายแรงดัน (สูงสุด)
การกำหนดคุณสมบัติ
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
การบรรจุ
STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
เอกสารข้อมูลสินค้า
781มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 3,000

Gate Driver Half-Bridge SMD/SMT QFN-18 2 Driver 3 Output 1.8 A 10.3 V 18 V Inverting, Non-Inverting 22 ns 13 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
STMicroelectronics STDRIVEG612Q
STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 52 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 4,900
หลายรายการ: 4,900
Tray