CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

ผลการค้นหา: 12
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
4,511มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
4,825มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
4,720มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,173มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,495มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
878มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
482มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,268มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
613มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
5มีอยู่ในสต็อก
3,60016/12/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
9,090ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
เอกสารข้อมูลสินค้า
3,53727/8/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement