MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์เจนเนอเรชันที่ 3

MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์เจนเนอเรชันที่ 3 ของ Toshiba ได้รับการออกแบบสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมที่ใช้กำลังไฟระดับสูง เช่น แหล่งจ่ายไฟ AC-DC อินพุต 400V AC การใช้งานอื่น ๆ ได้แก่ อินเวอร์เตอร์โฟโตโวลตาอิก (PV) และอุปกรณ์แปลงแรงดันไฟฟ้า DC-DC แบบสองทิศทางสำหรับอุปกรณ์สำรองไฟ (UPS) MOSFET เหล่านี้มีส่วนช่วยในการลดการใช้พลังงานและปรับปรุงความหนาแน่นทางพลังงาน ซึ่งเป็นผลมาจากเทคโนโลยี SiC ที่ช่วยให้อุปกรณ์ให้แรงดันไฟที่สูงขึ้น สวิตชิ่งที่เร็วขึ้น และลดความต้านทานในขณะทำงาน ดีไซน์แบบชิปเจนเนอเรชันที่สามของ Toshiba ให้ความน่าเชื่อถือเพิ่มขึ้นนอกเหนือจากความจุไฟฟ้าอินพุต (CISS) ที่ 4850pF (ทั่วไป) ประจุอินพุตเกต (Qg) ที่ต่ำเพียง 128nC (ทั่วไป) และความต้านทานขณะทำงานจากขาเดรน-ซอร์ส (RDS(On) เพียง 15Ω หรือ 30mΩ (ทั่วไป)

ผลการค้นหา: 24
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Qg - ชาร์จเกต ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย โหมดช่องสัญญาณ
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,480มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,493มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm 142มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm 23มีอยู่ในสต็อก
30ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm 20มีอยู่ในสต็อก
6016/10/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm 40มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm 52มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm 36มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm 40มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm 61มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm 30มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 31มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 47มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm 2มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm 67มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm 111มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm 171มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm 15มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm 25มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
176ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 25 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement