ตัวขับเกต IGBT/SiC ขั้นสูง GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

ผลการค้นหา: 8
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD ระดับ
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
จำนวนช่องสถานี
การแยกแรงดันไฟฟ้า
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
การจ่ายแรงดัน (สูงสุด)
การจ่ายแรงดัน (ต่ำสุด)
การบรรจุ
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,387มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,000มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1,000
หลายรายการ: 1,000
: 1,000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 176
หลายรายการ: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1,000
หลายรายการ: 1,000
: 1,000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 176
หลายรายการ: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray