CGHV27030S

MACOM
941-CGHV27030S
CGHV27030S

Mfr.:

คำอธิบาย:
GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

เอกสารข้อมูลสินค้า:
โมเดล ECAD:
ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD
ข้อมูลเพิ่มเติม
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ MACOM CGHV27030S

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์ ค่าแอตทริบิวต์ เลือกแอตทริบิวต์
MACOM
ประเภทสินค้า: GaN FET
มาตรฐาน RoHS:  
SMD/SMT
DFN-12
N-Channel
150 V
3.6 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
12 W
2.7 GHz
0 Hz
GaN
เครื่องหมายการค้า: MACOM
การกำหนดคุณสมบัติ: Single
ได้รับ: 21 dB
ค่าสูงสุดของกระแสเดรนด้วยแรงดันเกต: 50 V
อ่อนไหวต่อความชื้น: Yes
กระแสไฟขาออก: 30 W
การบรรจุ: Reel
การบรรจุ: Cut Tape
การบรรจุ: MouseReel
ประเภทสินค้า: GaN FETs
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน: 250
หมวดหมู่ย่อย: Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์: GaN HEMT
Vgs - แรงดันพังทลายระหว่างเกตและแหล่งกระแสไฟ : - 10 V, 2 V
น้ำหนักต่อหน่วย: 282.130 mg
ผลิตภัณฑ์ที่พบ:
เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้
แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

เอกสารข้อมูลสินค้า

PCN

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

รหัสการปฏิบัติตามข้อกำหนด
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
การจัดประเภทแหล่งกำเนิด
ประเทศถิ่นกําเนิด:
มาเลเชีย
ประเทศผู้ผลิตชิ้นส่วนประกอบ:
มาเลเชีย
ประเทศแหล่งกระจาย:
ไม่มี
ประเทศอาจมีการเปลี่ยนแปลง ณ เวลาที่จัดส่ง

CGHV27030S GaN HEMT

MACOM CGHV27030S 30W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides wide bandwidth capabilities and high efficiency with high gain. Operating from DC to 6GHz, the module offers 21dB gain, -36dBc ACLR, and 32% efficiency at 5W PAVE. The transistor is capable of operating with either a 28V or 50V rail. MACOM CGHV27030S GaN HEMT is well-suited for telecommunications applications operating at both 28V and 50V. The device is also ideal for tactical communications applications as well as L-band and S-band radar.

สินค้าที่น่าสนใจ
MACOM

GaN on SiC Transistors
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power. 
เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ GaN on SiC Transistors
CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT
Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.
เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT
CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor
400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.
เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor
JFET และ LDMOS FET RF 5 G
ทรานซิสเตอร์พลังงานสูงที่เพิ่มประสิทธิภาพทางความร้อนสําหรับระบบส่งสัญญาณแบบไร้สายสมัยใหม่
เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ JFET และ LDMOS FET RF 5 G
GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs
50V RF transistors featuring input matching, high efficiency, and thermally enhanced packages.
เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs

มีอยู่ในสต็อก: 344

สต็อก:
344 สามารถจัดส่งได้ทันที
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:
26 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้
จำนวนขั้นต่ำ: 1   หลายรายการ: 1
หน่วยราคา:
฿-.--
ต่อ ราคา:
฿-.--
โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:
การบรรจุ:
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 250 จำนวนหลายชิ้น)
ผลิตภัณฑ์นี้จัดส่งฟรี

การตั้งราคา (THB)

จำนวน หน่วยราคา
ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™ †
฿2,764.89 ฿2,764.89
฿2,301.75 ฿23,017.50
฿2,204.45 ฿55,111.25
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 250 จำนวนหลายชิ้น)
฿2,204.45 ฿551,112.50
† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้ ↩

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่ได้คาดการณ์ไว้


มีคำถามหรือไม่ โปรดเยี่ยมชมศูนย์ช่วยเหลือ
สำหรับคำถามเกี่ยวกับคำสั่งซื้อ โปรดเข้าสู่ระบบบัญชีของคุณ

หากยังไม่สามารถแก้ปัญหาได้ โปรดโทรติดต่อเราที่หมายเลข 800-346-6873 หรืออีเมลถึง help@mouser.com