NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module

onsemi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module offers three channels, higher output power, and easy module mounting. Each channel contains two 1000V, 100A IGBTs, two 1200V, 30A SiC diodes, and two 1600V, 30A bypass diodes. The Q2BOOST Module provides excellent efficiency and thermal losses, with the flexibility to support different manufacturing processes.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD สินค้า การกำหนดคุณสมบัติ ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์ กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C กระแสไฟรั่วระหว่างเกทและอิมิเตอร์ Pd - กำลังงานสูญเสีย ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน เทคโนโลยี การบรรจุ
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi IGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36มีอยู่ในสต็อก
฿4,729.44
฿4,504.86
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Si Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 36มีอยู่ในสต็อก
฿4,843.40
฿4,633.15
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Modules Si Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 52 สัปดาห์
SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Si Tray