ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

CGHV96100F2

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

941-CGHV96100F2

หมายเลข Mfr.:

CGHV96100F2

Mfr.:

MACOM

คำอธิบาย:

GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

เอกสารข้อมูลสินค้า:

CGHV96100F2 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ MACOM CGHV96100F2

การแจ้งการจัดส่ง:

Mouser ไม่ได้จำหน่ายสินค้านี้ในประเทศของคุณในขณะนี้

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	MACOM
ประเภทสินค้า:	GaN FET
การควบคุมในการจัดส่ง:	Mouser ไม่ได้จำหน่ายสินค้านี้ในประเทศของคุณในขณะนี้
มาตรฐาน RoHS:
รูปแบบการติด:	Screw Mount
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	440210
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	100 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	12 A
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	- 3 V
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 40 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 150 C
ค่าสูงสุดของความถี่ในการใช้งาน:	9.6 GHz
ค่าต่ำสุดของความถี่ในการใช้งาน:	7.9 GHz
เทคโนโลยี:	GaN
เครื่องหมายการค้า:	MACOM
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ชุดพัฒนา:	CGHV96100F2-TB
ได้รับ:	12.4 dB
กระแสไฟขาออก:	131 W
การบรรจุ:	Tray
สินค้า:	GaN HEMTs
ประเภทสินค้า:	GaN FETs
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	10
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	GaN HEMT
Vgs - แรงดันพังทลายระหว่างเกตและแหล่งกระแสไฟ :	- 10 V to 2 V
น้ำหนักต่อหน่วย:	65.235 g

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

CGHV96100F2 เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

PCN

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

รหัสการปฏิบัติตามข้อกำหนด

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

การจัดประเภทแหล่งกำเนิด

ประเทศถิ่นกําเนิด:: สหรัฐอเมริกา
ประเทศผู้ผลิตชิ้นส่วนประกอบ:: ไม่มี
ประเทศแหล่งกระจาย:: ไม่มี

ประเทศอาจมีการเปลี่ยนแปลง ณ เวลาที่จัดส่ง

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

CGHV96100F2 GaN HEMT

MACOM CGHV96100F2 Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on silicon carbide (SiC) substrate is an internally matched (IM) FET that offers excellent power-added efficiency compared to other technologies. GaN provides superior properties to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, saturated electron drift velocity, and thermal conductivity. These CGHV96100F2 GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths than GaAs transistors. This MACOM IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.