FGHL75T65MQDTx Trench IGBTs

onsemi FGHL75T65MQDTx Trench IGBTs are 4th generation mid-speed IGBTs technology-packed with fully rated current diode. The FGHL75T65MQDTx IGBTs operate at 175°C maximum junction temperature, 650V collector to emitter voltage, and 75A collector current. These IGBTs feature positive temperature co-efficient for easy parallel operation, high current capability, smooth and optimized switching, and tight parameter distribution. The FGHL75T65MQDT is built in a TO247-3L package and the FGHL75T65MQDTL4 IGBT is built in a TO247-4L package. These IGBTs are ideal for applications in solar inverters, UPS, ESS, PFC, and converters.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
รูปแบบการติด
การกำหนดคุณสมบัติ
ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์
ค่าสูงสุดของแรงดันที่เกตอิมิเตอร์
กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ระดับ
การบรรจุ

onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
เอกสารข้อมูลสินค้า
432มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube

onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
เอกสารข้อมูลสินค้า
762มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDT Tube