IGBT – Mouser ไทย

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

ผลการค้นหา: 8

ตัวกรองที่ใช้งาน:

หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์

รูปแบบการติด

ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO

แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์

ค่าสูงสุดของแรงดันที่เกตอิมิเตอร์

กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C

Pd - กำลังงานสูญเสีย

ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน

ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน

การบรรจุ

รีเซ็ตทั้งหมด

ค้นหาภายในผลการค้นหา

มีอยู่ในสต็อก

เก็บสต็อกตามปกติ

ใช้งานอยู่

ผลิตภัณฑ์ใหม่

เป็นไปตาม RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

รูปภาพ	หมายเลขชิ้นส่วน	Mfr.	คำอธิบาย	เอกสารข้อมูลสินค้า	สินค้าพร้อมส่ง	การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ	จำนวน	เทคโนโลยี	หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์	รูปแบบการติด	การกำหนดคุณสมบัติ	ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO	แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์	ค่าสูงสุดของแรงดันที่เกตอิมิเตอร์	กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C	Pd - กำลังงานสูญเสีย	ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน	ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน	ระดับ	การบรรจุ
IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 BIDD05N60T Bourns 1: ฿74.30 24,136มีอยู่ในสต็อก	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน BIDD05N60T หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 652-BIDD05N60T	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Bourns model bid igbt	เอกสารข้อมูลสินค้า	24,136มีอยู่ในสต็อก	เทปตัด ฿74.30 ฿47.65 ฿32.15 ฿25.62 ฿23.49 ม้วน ฿21.42 มี MouseReel	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1 : 2,500	Si	TO-252-3	SMD/SMT	Single	600 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	10 A	82 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Reel, Cut Tape, MouseReel
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L BIDW75N65EH5 Bourns 1: ฿271.56 5,797มีอยู่ในสต็อก	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน BIDW75N65EH5 หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 652-BIDW75N65EH5	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Bourns model bid	เอกสารข้อมูลสินค้า	5,797มีอยู่ในสต็อก	฿271.56 ฿157.27 ฿131.95 ฿123.95	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW40N65ES5 Bourns 1: ฿205.92 2,780มีอยู่ในสต็อก	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน BIDW40N65ES5 หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 652-BIDW40N65ES5	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Bourns model bid	เอกสารข้อมูลสินค้า	2,780มีอยู่ในสต็อก	฿205.92 ฿116.62 ฿96.96 ฿92.63 ดู ฿88.63 ฿87.63	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.35 V	20 V	80 A	230 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L BIDW40N65H5 Bourns 1: ฿197.25 2,967มีอยู่ในสต็อก	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน BIDW40N65H5 หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 652-BIDW40N65H5	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Bourns model bid	เอกสารข้อมูลสินค้า	2,967มีอยู่ในสต็อก	฿197.25 ฿116.62 ฿96.96 ฿92.30 ฿86.97	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	80 A	300 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW75N65ES5 Bourns 1: ฿250.90 2,773มีอยู่ในสต็อก	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน BIDW75N65ES5 หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 652-BIDW75N65ES5	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Bourns model bid	เอกสารข้อมูลสินค้า	2,773มีอยู่ในสต็อก	฿250.90 ฿157.27 ฿131.95 ฿123.95	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.42 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 BIDW30N60T Bourns 1: ฿183.26 3,011มีอยู่ในสต็อก	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน BIDW30N60T หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 652-BIDW30N60T	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Bourns model bid igbt	เอกสารข้อมูลสินค้า	3,011มีอยู่ในสต็อก	฿183.26 ฿109.62 ฿87.63 ฿76.97 ฿74.97	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 BIDW50N65T Bourns 1: ฿230.24 2,979มีอยู่ในสต็อก 1,2308/1/2570 ที่คาดหวัง	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน BIDW50N65T หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 652-BIDW50N65T	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Bourns model bid igbt	เอกสารข้อมูลสินค้า	2,979มีอยู่ในสต็อก 1,2308/1/2570 ที่คาดหวัง	฿230.24 ฿134.61 ฿112.29 ฿96.63	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	100 A	416 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N BIDNW30N60H3 Bourns 1: ฿188.26 ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 16 สัปดาห์	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน BIDNW30N60H3 หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 652-BIDNW30N60H3	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Bourns model bid igbt	เอกสารข้อมูลสินค้า	ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 16 สัปดาห์	฿188.26 ฿114.62 ฿91.96 ฿66.97	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1	Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube