QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors are 220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz, providing typically 53.5dBm of saturated output power with 17dB of large-signal gain and 70% drain efficiency.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ จำนวนช่องสถานี Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย ค่าสูงสุดของความถี่ในการใช้งาน ค่าต่ำสุดของความถี่ในการใช้งาน เทคโนโลยี
Qorvo GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
1026/11/2569 ที่คาดหวัง
฿17,241.10
฿14,920.70
฿14,340.26
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
1026/11/2569 ที่คาดหวัง
฿17,241.10
฿14,920.70
฿14,340.26
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC