QPD1011A GaN Input Matched Transistors

Qorvo QPD1011A GaN Input Matched Transistors are 7W (P3dB), 50Ω input matched discrete Gallium Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistor (HEMT), which operates from 30MHz to 1.2GHz. An integrated input matching network enables wideband gain and power performance, while the output can be matched on-board to optimize power and efficiency for any region within the band. The Qorvo QPD1011A transistors are housed in a 6mm x 5mm x 0.85mm leadless SMT package that saves real estate of already space-constrained handheld radios.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย ค่าสูงสุดของความถี่ในการใช้งาน ค่าต่ำสุดของความถี่ในการใช้งาน เทคโนโลยี
Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1011 45มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿2,172.13
฿1,796.28
฿1,741.30
ม้วน
฿1,741.30
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
สูงสุด: 25
: 100
SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1.46 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 14.7 W 1.2 GHz 30 MHz SiC
Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1011 ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 12 สัปดาห์
ม้วน
฿1,443.42
จำนวนขั้นต่ำ: 750
หลายรายการ: 750
: 750
SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1.46 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 14.7 W 1.2 GHz 30 MHz SiC