TRSx65H SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSx65H Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are 650V devices based on third-generation technology utilizing Schottky metal. These components optimize the junction barrier Schottky (JBS) structure of the second-generation products, lowering the electric field at the Schottky interface and reducing leakage current, delivering enhanced efficiency. TRSx65H achieves a 17% lower forward voltage (1.2V typical) and improves trade-offs between the forward voltage and the total capacitive charge (17nC typical) than 2nd-Gen devices. With an enhanced forward voltage and reverse current ratio, a typical 1.1µA insulation resistance is achieved. Other features include forward DC current of up to 12A and square-wave non-repetitive surge currents of up to 640A.

ผลการค้นหา: 12
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
If - กระแสทางตรง
Vrrm - แรงดันย้อนกลับแบบวนซ้ำ
Vf - แรงดันทางตรง
Ifsm - กระแสเสิร์จทางตรง
Ir - กระแสย้อนกลับ
การบรรจุ
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
เอกสารข้อมูลสินค้า
6,902มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8
เอกสารข้อมูลสินค้า
4,849มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,933มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8
เอกสารข้อมูลสินค้า
3,798มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,244มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
เอกสารข้อมูลสินค้า
1มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
เอกสารข้อมูลสินค้า
150มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
เอกสารข้อมูลสินค้า
98มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
เอกสารข้อมูลสินค้า
208มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
เอกสารข้อมูลสินค้า
127มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
เอกสารข้อมูลสินค้า
21มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
เอกสารข้อมูลสินค้า
172ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube