SSM6K51xNU Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6K51xNU Silicon N-Channel MOSFETs are part of Toshiba's extensive portfolio of MOSFETs in various circuit configurations and packages. The devices feature high speed, high performance, low loss, low on-resistance, small packaging, and more. The Toshiba SSM6K51xNU MOSFETs are ideal for power management switches and feature high-speed switching. These devices have a 1.5V drive with low drain-source on-resistance.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Qg - ชาร์จเกต ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย โหมดช่องสัญญาณ การบรรจุ

Toshiba MOSFETs UDFN6B N-CH 30V 6A 5,046มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿30.65
฿13.73
฿12.06
฿9.20
ม้วน
฿6.20
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V 4,135มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿25.32
฿11.43
฿10.06
฿7.66
ม้วน
฿5.86
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs UDFN6B N-CH 30V 6A
8,9982/10/2569 ที่คาดหวัง
เทปตัด
฿25.32
฿11.43
฿10.06
฿7.66
ม้วน
฿5.86
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel