ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a lowdrain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.

ไม่พบข้อมูล.
ลองแก้ไขข้อความค้นหาด้านล่างหรือไปที่ศูนย์ช่วยเหลือของเรา

ค้นหาภายในผลการค้นหา

มีอยู่ในสต็อก

เก็บสต็อกตามปกติ

ใช้งานอยู่

ผลิตภัณฑ์ใหม่

เป็นไปตาม RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

คำที่แนะนำในการค้นหา

ตรวจสอบการสะกดคำของหมายเลขชิ้นส่วนหรือคำค้นหา
ใช้คำค้นหาที่สั้นลงหรือคำค้นหาอื่น
ค้นหาหมายเลขชิ้นส่วนครั้งละหนึ่งรายการ
ใช้ครั้งละ 1 ตัวกรอง

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

คำที่แนะนำในการค้นหา

ผลิตภัณฑ์และผู้ผลิต

มีคำถามเพิ่มเติมหรือไม่

สำนักงานฝ่ายบริการลูกค้า

บริษัท

แหล่งข้อมูล

ความช่วยเหลือ