IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

ผลการค้นหา: 10
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD สินค้า การกำหนดคุณสมบัติ ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์ กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C กระแสไฟรั่วระหว่างเกทและอิมิเตอร์ ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน เทคโนโลยี การบรรจุ
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module 17มีอยู่ในสต็อก
฿4,681.13
฿4,514.86
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module 6มีอยู่ในสต็อก
฿9,171.00
฿7,336.40
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module 29มีอยู่ในสต็อก
฿5,818.34
฿5,748.70
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module 51มีอยู่ในสต็อก
฿7,261.09
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module 11มีอยู่ในสต็อก
503/11/2569 ที่คาดหวัง
฿8,523.26
฿6,884.91
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ไม่
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 300 A dual IGBT module 5มีอยู่ในสต็อก
20ในการสั่งซื้อ
฿4,182.33
฿3,950.42
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 2300 V, 1800 A dual IGBT module
ผลิตภัณฑ์นี้จำเป็นต้องใช้เอกสารประกอบเพิ่มเติมในการส่งออกจากประเทศสหรัฐอเมริกา
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 39 สัปดาห์
฿43,182.72
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules PP IHM I
ผลิตภัณฑ์นี้จำเป็นต้องใช้เอกสารประกอบเพิ่มเติมในการส่งออกจากประเทศสหรัฐอเมริกา
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 39 สัปดาห์
฿44,422.22
จำนวนขั้นต่ำ: 3
หลายรายการ: 3
Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 24 สัปดาห์
฿6,207.85
จำนวนขั้นต่ำ: 10
หลายรายการ: 10
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 750 A dual IGBT module ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 24 สัปดาห์
฿7,846.53
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray