ผลการค้นหา: 11
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Qg - ชาร์จเกต ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย โหมดช่องสัญญาณ
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 630มีอยู่ในสต็อก
2,000ในการสั่งซื้อ
เทปตัด
฿1,213.18
฿902.31
฿901.97
฿861.32
ม้วน
฿854.66
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,143มีอยู่ในสต็อก
1,00026/10/2569 ที่คาดหวัง
เทปตัด
฿908.64
฿634.75
฿618.09
฿585.43
ม้วน
฿554.11
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿544.12
฿325.87
฿325.54
ม้วน
฿308.21
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,609มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿439.16
฿266.89
฿262.89
ม้วน
฿252.57
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 4,905มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿175.60
฿91.30
฿82.97
฿73.30
ม้วน
฿72.97
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
สูงสุด: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79มีอยู่ในสต็อก
1,00010/12/2569 ที่คาดหวัง
เทปตัด
฿376.18
฿214.91
฿193.26
ม้วน
฿182.93
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 268มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿318.87
฿175.93
฿161.94
฿160.60
ม้วน
฿143.61
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 61มีอยู่ในสต็อก
4,000ในการสั่งซื้อ
เทปตัด
฿194.26
฿101.96
฿92.96
฿83.97
ม้วน
฿79.30
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 26มีอยู่ในสต็อก
2,00010/6/2570 ที่คาดหวัง
เทปตัด
฿280.22
฿151.27
฿138.61
฿133.95
ม้วน
฿118.29
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,00026/11/2569 ที่คาดหวัง
เทปตัด
฿647.07
฿407.17
฿397.17
฿387.51
ม้วน
฿380.51
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,00018/2/2570 ที่คาดหวัง
เทปตัด
฿227.58
฿120.95
฿110.96
฿103.63
ม้วน
฿97.96
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement