IGBT – Mouser ไทย

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 are designed to meet requirements of high efficiency, lower conduction losses, and switching losses. These TRENCHSTOP IGBT6 feature low gate charge, low Electromagnetic Interference (EMI), easy paralleling capability, high efficiency in hard switching, and resonant topologies. The TRENCHSTOP IGBT6 is released in 2 product families, low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series. These IGBT6 are plug-and-play replacements of predecessor HighSpeed3 H3 IGBT. The TRENCHSTOP IGBT6 implement the trench and fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode. These 1200V TRENCHSTOP IGBT6 achieve easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in V_CEsat. Typical applications include industrial UPS, energy storage, three-level solar string inverter, and welding.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

ผลการค้นหา: 3

ตัวกรองที่ใช้งาน:

เทคโนโลยี

หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์

รูปแบบการติด

การกำหนดคุณสมบัติ

ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO

แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์

กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C

Pd - กำลังงานสูญเสีย

ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน

ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน

ระดับ

รีเซ็ตทั้งหมด

ค้นหาภายในผลการค้นหา

มีอยู่ในสต็อก

เก็บสต็อกตามปกติ

ใช้งานอยู่

ผลิตภัณฑ์ใหม่

เป็นไปตาม RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

รูปภาพ	หมายเลขชิ้นส่วน	Mfr.	คำอธิบาย	เอกสารข้อมูลสินค้า	สินค้าพร้อมส่ง	การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ	จำนวน	เทคโนโลยี	หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์	รูปแบบการติด	การกำหนดคุณสมบัติ	ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO	แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์	ค่าสูงสุดของแรงดันที่เกตอิมิเตอร์	กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C	Pd - กำลังงานสูญเสีย	ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน	ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน	ระดับ	การบรรจุ
IGBTs INDUSTRY IKY75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies 1: ฿307.54 876มีอยู่ในสต็อก	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน IKY75N120CS6XKSA1 หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 726-IKY75N120CS6XKSA	Infineon Technologies	IGBTs INDUSTRY เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Infineon Technologies infineon 1200v trenchstop igbt6	เอกสารข้อมูลสินค้า	876มีอยู่ในสต็อก	฿307.54 ฿179.93 ฿148.27 ฿146.27	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1	Si	TO-247-4	Through Hole	Single	1.2 kV	1.85 V	- 20 V, 20 V	150 A	880 W	- 40 C	+ 175 C	Trenchstop IGBT6	Tube
IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package IKY50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies 1: ฿190.26 381มีอยู่ในสต็อก	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน IKY50N120CH7XKSA1 หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 726-IKY50N120CH7XKSA	Infineon Technologies	IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Infineon Technologies infineon igbt7 h7 discrete transistors	เอกสารข้อมูลสินค้า	381มีอยู่ในสต็อก	฿190.26 ฿151.94 ฿129.28	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1							- 20 V, 20 V					IGBT7 H7	Tube
IGBTs INDUSTRY IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies 1: ฿223.91 2,146มีอยู่ในสต็อก 5,7607/1/2570 ที่คาดหวัง	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน IKW40N120CS6XKSA1 หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 726-IKW40N120CS6XKSA	Infineon Technologies	IGBTs INDUSTRY เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ Infineon Technologies infineon 1200v trenchstop igbt6	เอกสารข้อมูลสินค้า	2,146มีอยู่ในสต็อก 5,7607/1/2570 ที่คาดหวัง	฿223.91 ฿127.62 ฿106.62 ฿102.96 ฿98.29	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	1.2 kV	1.85 V	- 20 V, 20 V	80 A	500 W	- 40 C	+ 175 C	Trenchstop IGBT6	Tube