QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย ค่าสูงสุดของความถี่ในการใช้งาน ค่าต่ำสุดของความถี่ในการใช้งาน เทคโนโลยี
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz, Flanged 76มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿11,680.33
฿10,277.22
฿9,235.97
ม้วน
฿9,235.97
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 50
Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W 6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz 43มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿12,778.89
฿11,304.81
฿9,235.97
ม้วน
฿9,235.97
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 50
Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W 6 GHz 0 Hz GaN