ผลการค้นหา: 7
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Qg - ชาร์จเกต ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย โหมดช่องสัญญาณ ยี่ห้อ
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE 712มีอยู่ในสต็อก
฿731.71
฿544.12
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1,701มีอยู่ในสต็อก
฿487.14
฿292.88
฿289.22
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 298มีอยู่ในสต็อก
฿346.86
฿199.59
฿184.93
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
24,945ในการสั่งซื้อ
เทปตัด
฿201.59
฿131.95
฿98.63
฿82.63
ม้วน
฿71.64
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
1,660ในการสั่งซื้อ
฿617.75
฿470.48
฿392.18
฿349.19
฿326.20
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
978ในการสั่งซื้อ
฿275.89
฿170.27
฿157.27
฿124.95
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 52 สัปดาห์
฿291.88
฿171.60
฿142.28
฿141.61
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC