DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

ผลการค้นหา: 16
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Qg - ชาร์จเกต ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย โหมดช่องสัญญาณ ยี่ห้อ การบรรจุ
Toshiba MOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN 7,251มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 230W 1MHz TO-247 2มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1,035มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 1,975มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ 299มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3,792มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V 2,017มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ 90มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
4,00016/11/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 270W 1MHz TO-247
45815/1/2570 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
4915/1/2570 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
5918/12/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 12 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs 360W 1MHz TO-247-4L(T) ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 24 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 25

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 16 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 16 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 2,000
หลายรายการ: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel