DMT26M0LDG Asymmetrical Dual N-Channel MOSFETs

Diodes Inc. DMT26M0LDG Asymmetrical Dual N-Channel MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance [RDS(ON)] yet maintain superior switching performance. These MOSFETs have a drain-source breakdown voltage (BVDSS) of 25V. The static drain-source on-resistance [RDS(ON)] for Q1 is 6mΩ at VGS = 10V, 7.5mΩ at VGS = 4.5V or Q2 is 2.0mΩ at VGS = 10V, 3.1mΩ at VGS = 4.5V. The continuous drain current (ID) rating for Q1 is 11.6A at VGS = 10V, 10.4A at VGS = 4.5V, or Q2 is 20.1A at VGS = 10V, 16.1A at VGS = 4.5V. These ratings make these Diodes Inc. DMT26M0LDG devices ideal for high-efficiency power-management applications.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ ขั้วทรานซิสเตอร์ จำนวนช่องสถานี Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Qg - ชาร์จเกต ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน Pd - กำลังงานสูญเสีย โหมดช่องสัญญาณ การบรรจุ
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K 776มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿69.97
฿43.98
฿28.92
฿22.92
฿20.39
ม้วน
฿18.59
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K 2,854มีอยู่ในสต็อก
เทปตัด
฿69.97
฿43.98
฿28.92
฿22.92
ม้วน
฿18.29
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel