IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs are high-gain IGBTs optimized for ultra-low conduction losses VCE(sat) and for switching frequencies of up to 5kHz. Thin wafer technology and improved processes enable a low gate charge QG, hence, low gate-current requirement. High gain boosts surge current capability, and the positive thermal co-efficient of VCE(sat) simplifies paralleling. The low thermal resistance of Rth(j-c) eases thermal-related design issues. 

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ รูปแบบการติด การกำหนดคุณสมบัติ ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์ ค่าสูงสุดของแรงดันที่เกตอิมิเตอร์ กระแสไฟคอลเลกเตอร์ต่อเนื่องที่ 25 C Pd - กำลังงานสูญเสีย ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ระดับ การบรรจุ
IXYS IGBTs TO264 1200V 110A GENX4 71มีอยู่ในสต็อก
฿1,082.57
฿883.65
฿749.03
฿731.04
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs PLUS247 1200V 110A GENX4 198มีอยู่ในสต็อก
฿1,036.59
฿762.03
฿733.04
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs SOT227 1200V 110A GENX4 228มีอยู่ในสต็อก
฿1,366.79
฿1,017.59
฿1,003.60
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube