MOSFET – Mouser ไทย

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

RQ3xFRATCB มอสเฟตกำลัง

MOSFET พลังงานของ ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB เป็น MOSFET เกรดยานยนต์ที่มีระดับคุณภาพ AEC-Q101 MOSFET เหล่านี้นําเสนอช่วงแรงดันไฟฟ้าระหว่างขาเดรนและขาซอร์ส -40V ถึง 100V, 8 ขั้ว, การกระจายพลังงานสูงสุด 69W และกระแสไฟขาเดรนต่อเนื่องขนาด ±12A ถึง ±27A MOSFET พลังงาน RQ3xFRATCB มีวางจําหน่ายในแบบ N-channel และ P-channel MOSFET พลังงานเหล่านี้มาในแพ็กเกจ HSMT8AG ขนาดเล็ก 3.3 มม. x 3.3 มม. MOSFET พลังงาน RQ3xFRATCB เหมาะสําหรับระบบช่วยผู้ขับขี่ขั้นสูง (ADAS) ระบบอินโฟเทนเมนท์ ไฟส่องสว่าง และตัวถัง

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

ผลการค้นหา: 3

ตัวกรองที่ใช้งาน:

Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source

Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง

Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on

Qg - ชาร์จเกต

Pd - กำลังงานสูญเสีย

การบรรจุ

รีเซ็ตทั้งหมด

ค้นหาภายในผลการค้นหา

มีอยู่ในสต็อก

เก็บสต็อกตามปกติ

ใช้งานอยู่

ผลิตภัณฑ์ใหม่

เป็นไปตาม RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

รูปภาพ	หมายเลขชิ้นส่วน	Mfr.	คำอธิบาย	เอกสารข้อมูลสินค้า	สินค้าพร้อมส่ง	การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ	จำนวน	เทคโนโลยี	รูปแบบการติด	หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์	ขั้วทรานซิสเตอร์	จำนวนช่องสถานี	Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source	Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง	Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on	Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส	Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ	Qg - ชาร์จเกต	ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน	ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน	Pd - กำลังงานสูญเสีย	โหมดช่องสัญญาณ	การบรรจุ
MOSFETs Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3G270BJFRATCB ROHM Semiconductor 1: ฿69.64 3,674มีอยู่ในสต็อก	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน RQ3G270BJFRATCB หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 755-RQ3G270BJFRATCB	ROHM Semiconductor	MOSFETs Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ ROHM Semiconductor rohm rq3xfratcb power mosfets	เอกสารข้อมูลสินค้า	3,674มีอยู่ในสต็อก	เทปตัด ฿69.64 ฿33.65 ฿29.92 ฿23.76 ม้วน ฿20.36 ดู ฿22.66 ฿19.59	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	P-Channel	1 Channel	40 V	27 A	22 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3G120BJFRATCB ROHM Semiconductor 1: ฿57.98 2,4781/12/2569 ที่คาดหวัง	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน RQ3G120BJFRATCB หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 755-RQ3G120BJFRATCB	ROHM Semiconductor	MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ ROHM Semiconductor rohm rq3xfratcb power mosfets	เอกสารข้อมูลสินค้า	2,4781/12/2569 ที่คาดหวัง	เทปตัด ฿57.98 ฿28.19 ฿24.36 ฿19.13 ฿18.23 ม้วน ฿14.93 มี MouseReel	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	P-Channel	1 Channel	40 V	12 A	48 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	15.5 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3L120BJFRATCB ROHM Semiconductor 1: ฿56.64 3,00016/2/2570 ที่คาดหวัง	Mfr. หมายเลขชิ้นส่วน RQ3L120BJFRATCB หมายเลขชิ้นส่วนของ Mouser 755-RQ3L120BJFRATCB	ROHM Semiconductor	MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive เรียนรู้เพิ่มเติม เกี่ยวกับ ROHM Semiconductor rohm rq3xfratcb power mosfets	เอกสารข้อมูลสินค้า	3,00016/2/2570 ที่คาดหวัง	เทปตัด ฿56.64 ฿26.82 ฿23.89 ฿18.79 ม้วน ฿15.03 ดู ฿17.89 ฿14.86 ฿14.73	จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	P-Channel	1 Channel	60 V	12 A	106 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	15.7 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	Reel, Cut Tape

RQ3xFRATCB มอสเฟตกำลัง

ตัวกรองที่ใช้งาน:

สำนักงานฝ่ายบริการลูกค้า

บริษัท

แหล่งข้อมูล

ความช่วยเหลือ