TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

ผลการค้นหา: 20
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
การบรรจุ
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
50มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,960มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,000มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
2,000มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,961มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,996มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
1,984มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
53มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH
เอกสารข้อมูลสินค้า
85มีอยู่ในสต็อก
6025/11/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
เอกสารข้อมูลสินค้า
350มีอยู่ในสต็อก
400ในการสั่งซื้อ
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH
เอกสารข้อมูลสินค้า
350มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH
เอกสารข้อมูลสินค้า
294มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.1A N-CH
เอกสารข้อมูลสินค้า
224มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.1A N-CH
เอกสารข้อมูลสินค้า
187มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
111มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
153มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=190W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
25มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
20มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
เอกสารข้อมูลสินค้า
47มีอยู่ในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
เอกสารข้อมูลสินค้า
15มีอยู่ในสต็อก
35011/9/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube