onsemi 40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

Features

  • Low RDS(on) to minimize conduction loss
  • Low Qrr with soft recovery to minimize ERR loss and voltage spike
  • Low Qg and capacitance to minimize driving and switching loss
  • Pb-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS-compliant

Applications

  • High switching frequency DC-DC conversion
  • Synchronous rectification

Block Diagram

Application Circuit Diagram - onsemi 40V Power MOSFETs
View Results ( 14 ) Page
หมายเลขชิ้นส่วน เอกสารข้อมูลสินค้า Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XMT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 40 V 509 A 420 uOhms
NTMFS0D5N04XLT1G NTMFS0D5N04XLT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 40 V 455 A 490 uOhms
NTMFS0D6N04XMT1G NTMFS0D6N04XMT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 40 V 380 A 570 uOhms
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 40 V 278 A 900 uOhms
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 40 V 233 A 1.05 mOhms
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 40 V 195 A 1.3 mOhms
NTMFS2D3N04XMT1G NTMFS2D3N04XMT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 40 V 111 A 2.35 mOhms
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 80 V 181 A 2.1 mOhms
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 80 V 135 A 3 mOhms
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G เอกสารข้อมูลสินค้า 40 V 414 A 520 uOhms
เผยแพร่แล้ว: 2567-01-16 | อัปเดตแล้ว: 2568-09-30