กลับไปยัง Nexperia

Nexperia PMVxx P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia P-Channel Trench MOSFETS are enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

Features

  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • 2kV ESD protected
  • Low on-state resistance
  • Enhanced power dissipation capability of 1096mW
  • Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW

Applications

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side load switch
  • Switching circuits

Related Products

Nexperia ASFET สำหรับโทโพโลยีแบบพังทลายซ้ำๆ

แรงดันไฟฟ้าระหว่างขาเดรนและขาซอร์สสูงสุด 40VDS ถึง 60VDS กระแสไฟฟ้าขาเดรน 16ID ถึง 40ID และการชาร์จประจุระหว่างขาเกตและขาเดรนที่ 7.9QGD

Learn Moreเกี่ยวกับ Nexperia ASFET สำหรับโทโพโลยีแบบพังทลายซ้ำๆ View Productsเกี่ยวข้องกับ Nexperia ASFET สำหรับโทโพโลยีแบบพังทลายซ้ำๆ

Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables

Small WLCSP and leadless DFN packages for mobile and portable applications.

Learn Moreเกี่ยวกับ Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables View Productsเกี่ยวข้องกับ Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables

Nexperia FET แบบแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) GAN041-650WSB

ให้แรงดันไฟฟ้าระหว่างขาเดรนและขาซอร์สที่ 650V, อัตรากระแสไฟขาเดรนที่ 47.2A และความต้านทานสูงสุดขนาด 41mΩ

Learn Moreเกี่ยวกับ Nexperia FET แบบแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) GAN041-650WSB View Productsเกี่ยวข้องกับ Nexperia FET แบบแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) GAN041-650WSB

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Enhancement mode field-effect transistor in a small SOT23 Surface-Mounted Device plastic package.

Learn Moreเกี่ยวกับ Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET View Productsเกี่ยวข้องกับ Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSN20 60V N-Channel Trench MOSFET

Logic-level compatible, fast switching MOSFET suitable for high frequency applications.

Learn Moreเกี่ยวกับ Nexperia BSN20 60V N-Channel Trench MOSFET View Productsเกี่ยวข้องกับ Nexperia BSN20 60V N-Channel Trench MOSFET
View Results ( 4 ) Page
หมายเลขชิ้นส่วน เอกสารข้อมูลสินค้า Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส Qg - ชาร์จเกต Pd - กำลังงานสูญเสีย
PMV33UPE,215 PMV33UPE,215 เอกสารข้อมูลสินค้า 5.3 A 30 mOhms 950 mV - 8 V, 8 V 14.7 nC 980 mW
PMV75UP,215 PMV75UP,215 เอกสารข้อมูลสินค้า 3.2 A 77 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 5 nC 1 W
PMV50XPR PMV50XPR เอกสารข้อมูลสินค้า 4.4 A 48 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 7.7 nC 1.096 W
PMV50XPAR PMV50XPAR เอกสารข้อมูลสินค้า 3.6 A 60 mOhms 1 V - 10 V, 10 V 7.7 nC 1.096 W
เผยแพร่แล้ว: 2558-03-10 | อัปเดตแล้ว: 2566-02-07