ทรานซิสเตอร์ความถี่วิทยุ ใหม่ล่าสุด

ชนิดของ ทรานซิสเตอร์ความถี่วิทยุ
เปลี่ยนมุมมองหมวดหมู่
ตัวกรองที่ใช้งาน:
ไม่มีรายการที่เลือก กลับสู่แท็บผลิตภัณฑ์เพื่อแก้ไขตัวกรองปัจจุบันของคุณ

Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05/15/2568
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05/15/2568
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Mini-Circuits TAV1 Transistors
Mini-Circuits TAV1 Transistors
12/01/2566
Designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.
CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2566
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Nexperia SOT323 Surface-Mounted Package Products
Nexperia SOT323 Surface-Mounted Package Products
07/26/2565
A plastic, 3 leads, 1.3mm pitch, 2mm x 1.25mm x 0.95mm body surface-mounted package.
Nexperia SOT23 Surface-Mounted Package Products
Nexperia SOT23 Surface-Mounted Package Products
07/26/2565
Contained in a plastic, surface-mounted, three terminals, 1.9mm pitch, 2.9mm x 1.3mm x 1mm package.
Qorvo pHEMT ชนิด GaAs แบบแยก 600µm QPD2060D
Qorvo pHEMT ชนิด GaAs แบบแยก 600µm QPD2060D
04/19/2565
ให้กำลังเอาต์พุต 28dBm ที่ P1dB, อัตราขยาย 12dB และประสิทธิภาพแบบเพิ่มกำลัง 55% ที่ 1dB
Qorvo pHEMT ชนิด GaAs แบบแยก 1200µm QPD2120D
Qorvo pHEMT ชนิด GaAs แบบแยก 1200µm QPD2120D
04/19/2565
ให้กำลังเอาต์พุต 31dBm ที่ P1dB, อัตราขยาย 11.5dB และประสิทธิภาพแบบเพิ่มกำลัง 57% ที่ 1dB
Qorvo pHEMT ชนิด GaAs แบบแยก 1600µm QPD2160D
Qorvo pHEMT ชนิด GaAs แบบแยก 1600µm QPD2160D
04/19/2565
ให้กำลังเอาต์พุต 32.5dBm ที่ P1dB, อัตราขยาย 10.4dB และประสิทธิภาพแบบเพิ่มกำลัง 63% ที่ 1dB
Qorvo pHEMT ชนิด GaAs แบบแยก 800µm QPD2080D
Qorvo pHEMT ชนิด GaAs แบบแยก 800µm QPD2080D
04/19/2565
ให้กำลังเอาต์พุต 29.5dBm ที่ P1dB, อัตราขยาย 11.5dB และประสิทธิภาพแบบเพิ่มกำลัง 56% ที่ 1dB
Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die
Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die
02/14/2565
Utilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die
Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die
02/14/2565
Developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die
Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die
02/14/2565
Designed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
กำลังดู: 1 - 13 จาก 13