ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 27.78 THB
Availability: OutOfStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

771-PMDXB550UNEZ

หมายเลข Mfr.:

PMDXB550UNEZ

Mfr.:

Nexperia

คำอธิบาย:

MOSFETs SOT1216 2NCH 30V .59A

เอกสารข้อมูลสินค้า:

PMDXB550UNEZ เอกสารข้อมูลสินค้า (PDF)

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Nexperia PMDXB550UNEZ

สินค้าพร้อมส่ง

สต็อก:: 0

คุณยังสามารถซื้อผลิตภัณฑ์นี้ในขณะที่สินค้าไม่มีอยู่ในสต็อกได้

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ในการสั่งซื้อ:: 91,000

7/6/2570 ที่คาดหวัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 26

สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

เวลารอสินค้าของผลิตภัณฑ์นี้มีระยะเวลานาน

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การบรรจุ:

ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 5000 จำนวนหลายชิ้น)

เทปตัด

MouseReel™ (+฿230.00)

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
เทปตัด / MouseReel™ ^†
	฿27.78	฿27.78
	฿19.15	฿191.50
	฿12.14	฿1,214.00
	฿7.49	฿3,745.00
	฿5.56	฿5,560.00
	฿4.94	฿12,350.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 5000 จำนวนหลายชิ้น)
	฿4.26	฿21,300.00

† จะมีการคำนวณและเพิ่มค่าธรรมเนียม MouseReel™ จำนวน ฿230.00 ในรถเข็นสินค้าของคุณ ผลิตภัณฑ์ MouseReel™ ทุกรายการไม่สามารถยกเลิกการสั่งซื้อและคืนสินค้าได้ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	Nexperia
ประเภทสินค้า:	MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	DFN-1010-6
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	2 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	30 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	590 mA
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	670 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 8 V, 8 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	450 mV
Qg - ชาร์จเกต:	1.05 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 150 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	4.03 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
การบรรจุ:	MouseReel
เครื่องหมายการค้า:	Nexperia
การกำหนดคุณสมบัติ:	Dual
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	3 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด:	600 mS
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	7 ns
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	5000
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	2 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	12 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	4 ns
นามแฝงของหมายเลขชิ้นส่วน:	934069326147
น้ำหนักต่อหน่วย:	1.290 mg

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

กรองเอกสาร:

รหัสการปฏิบัติตามข้อกำหนด

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

การจัดประเภทแหล่งกำเนิด

ประเทศถิ่นกําเนิด:: มาเลเชีย
ประเทศผู้ผลิตชิ้นส่วนประกอบ:: ไม่มี
ประเทศแหล่งกระจาย:: ไม่มี

ประเทศอาจมีการเปลี่ยนแปลง ณ เวลาที่จัดส่ง

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.