ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

NVMFWS003N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS003N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS003N10MCT1G
Price: 137.8 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

863-VMFWS003N10MCT1G

หมายเลข Mfr.:

NVMFWS003N10MCT1G

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 3.1mohm, 169A

เอกสารข้อมูลสินค้า:

NVMFWS003N10MCT1G เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi NVMFWS003N10MCT1G

มีอยู่ในสต็อก: 3,030

สต็อก:: 3,030 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 18 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿137.80	฿137.80
	฿90.68	฿906.80
	฿64.03	฿6,403.00
	฿58.50	฿29,250.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 1500 จำนวนหลายชิ้น)
	฿51.03	฿76,545.00
9,000	เสนอราคา

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
REACH - SVHC:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	DFNW-5
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	100 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	169 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	3.1 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 20 V, 20 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	4 V
Qg - ชาร์จเกต:	62 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	194 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	14 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด:	150 S
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	15 ns
ระดับ:	NVMFWS003N10MC
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	1500
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	46 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	28 ns

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

NVMFWS003N10MCT1G เอกสารข้อมูลสินค้า

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs offer a 169A continuous drain current, 3.1mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.