SISS7xDN TrenchFET MOSFETs

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFETs use TrenchFET® with ThunderFET technology that optimizes the balance of RDS, QG, QSW, and QOSS. These MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. The SISS7xDN TrenchFET MOSFETs find applications in primary side switching, synchronous rectification, DC/DC converters, motor drive control, and load switches. These MOSFETs are available in PowerPAK 1212-8S package.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
ยี่ห้อ
การบรรจุ
Vishay Semiconductors MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
เอกสารข้อมูลสินค้า
6,619มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25.5 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
เอกสารข้อมูลสินค้า
5,990มีอยู่ในสต็อก
มี MouseReel
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 125 V 31 A 29.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel