TGA2237 Wideband Distributed Amplifier

Qorvo TGA2237 Wideband Distributed Amplifier is fabricated on the Qorvo production 0.25um Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) process. The TGA2237 operates from 0.03GHz to 2.5GHz and provides 10W of saturated output power with 13dB of large signal gain and greater than 50.% power-added efficiency. The broadband performance supports both radar and communication applications across defense and commercial markets as well as electronic warfare. The TGA2237 amplifier is fully matched to 50Ω at both RF ports allowing for simple system integration. DC blocks are required on both RF ports and the drain voltage must be injected through an off chip bias-tee on the RF output port.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD ความถี่ในการใช้งาน การจ่ายแรงดันที่ใช้งาน กระแสไฟฟ้าที่จ่ายใช้งาน ได้รับ ประเภท รูปแบบการติด หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์ เทคโนโลยี P1dB - จุดบีบอัด 1 เดซิเบล ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน ระดับ การบรรจุ
Qorvo RF Amplifier .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 20 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 25
หลายรายการ: 25

2.5 GHz 30 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT Die GaN 32 dBm TGA2237 Gel Pack
Qorvo RF Amplifier 30-2500MHz 10W GaN PAE > 50% Gain 19dB ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 16 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 25
หลายรายการ: 25

30 MHz to 2.5 GHz 32 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-32 GaN SiC 33 dBm - 40 C + 85 C TGA2237 Waffle