iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ power MOSFETs are designed for high‑efficiency switching applications. These MOSFETs feature ultra‑low RDS(on) of 5.5mΩ, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. With the low switching losses (QSW and EOSS) and 112 nC gate charge, these MOSFETs enhance efficiency in both full‑ and partial‑load conditions. The iS20M5R5S1T MOSFETs are fully UIS‑tested and provide high Short‑Circuit Withstand Capability (SCWC) for improved reliability. These power MOSFETs support a high continuous drain current of 151A, making them suitable for demanding power stages like motor control, synchronous rectification, and SMPS designs.

ผลการค้นหา: 2
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD เทคโนโลยี
รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
ยี่ห้อ
การบรรจุ
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 2 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 200
หลายรายการ: 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 10 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 2,000
หลายรายการ: 2,000
ม้วน: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel