3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

ชนิดของ การแยกอุปกรณ์กึ่งตัวนำ
เปลี่ยนมุมมองหมวดหมู่
ผลการค้นหา: 9
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS ประเภทสินค้า
เทคโนโลยี
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
79829/6/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 48
หลายรายการ: 48

MOSFET Modules
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 48
หลายรายการ: 48

MOSFET Modules
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 48
หลายรายการ: 48

MOSFET Modules SiCPAK G+
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 48
หลายรายการ: 48

MOSFET Modules
GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 48
หลายรายการ: 48

MOSFET Modules
GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 48
หลายรายการ: 48

MOSFET Modules
GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 48
หลายรายการ: 48

MOSFET Modules
GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 48
หลายรายการ: 48

MOSFET Modules