ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 130.17 THB
Availability: OutOfStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

863-NTMFWS1D5N08XT1G

หมายเลข Mfr.:

NTMFWS1D5N08XT1G

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

เอกสารข้อมูลสินค้า:

NTMFWS1D5N08XT1G เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi NTMFWS1D5N08XT1G

สินค้าพร้อมส่ง

สต็อก:: 0

คุณยังสามารถซื้อผลิตภัณฑ์นี้ในขณะที่สินค้าไม่มีอยู่ในสต็อกได้

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ในการสั่งซื้อ:: 1,380

10/5/2570 ที่คาดหวัง

4,500

3,000

14/5/2570 ที่คาดหวัง

1,500

ตัดสินใจในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 27

สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

เวลารอสินค้าของผลิตภัณฑ์นี้มีระยะเวลานาน

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿130.17	฿130.17
	฿85.27	฿852.70
	฿61.37	฿6,137.00
	฿52.33	฿26,165.00
	฿46.19	฿46,190.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 1500 จำนวนหลายชิ้น)
	฿46.19	฿69,285.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
REACH - SVHC:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	SO8FL-8
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	80 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	253 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	1.43 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	- 20 V, 20 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	3.6 V
Qg - ชาร์จเกต:	83 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	194 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	9 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด:	176 S
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	9 ns
ระดับ:	NTMFWS1D5N08X
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	1500
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	43 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	24 ns

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

NTMFWS1D5N08XT1G เอกสารข้อมูลสินค้า

PCN

Material Composition Disclosure

รหัสการปฏิบัติตามข้อกำหนด

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

การจัดประเภทแหล่งกำเนิด

ประเทศถิ่นกําเนิด:: ญี่ปุ่น
ประเทศผู้ผลิตชิ้นส่วนประกอบ:: มาเลเชีย
ประเทศแหล่งกระจาย:: ญี่ปุ่น

ประเทศอาจมีการเปลี่ยนแปลง ณ เวลาที่จัดส่ง

NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET

onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET incorporates a low Q_RR and soft recovery body diode, reducing switching losses. The NTMFWS1D5N08X device offers low R_DS(on) to minimize conduction losses, ensuring efficient operation. Additionally, its low Q_G and capacitance contribute to minimizing driver losses. onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

PowerTrench Technology

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Cloud/Data Center Power Management Solutions

Cloud and data center power infrastructure is entering an unprecedented period of growth, driven by hyperscale expansion, AI workloads, and the rapid rise of data‑intensive applications. As cloud service providers and enterprise data centers scale global footprints, efficient, reliable power delivery has become a critical enabler of performance, availability, and total cost of ownership.