ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional performance with a typical R_DS(on) of 53mΩ at V_GS = 20V. onsemi NVH4L050N170M1 MOSFETs are optimized for a 20V gate drive. The devices also function effectively with an 18V gate drive, featuring a negative gate voltage drive and reduced turn-off spikes. These devices offer ultra-low total gate charge (105nC), high-speed switching with low capacitance (C_oss = 98pF), and 100% avalanche testing for reliability.

ไม่พบข้อมูล.
ลองแก้ไขข้อความค้นหาด้านล่างหรือไปที่ศูนย์ช่วยเหลือของเรา

ค้นหาภายในผลการค้นหา

มีอยู่ในสต็อก

เก็บสต็อกตามปกติ

ใช้งานอยู่

ผลิตภัณฑ์ใหม่

เป็นไปตาม RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

คำที่แนะนำในการค้นหา

ตรวจสอบการสะกดคำของหมายเลขชิ้นส่วนหรือคำค้นหา
ใช้คำค้นหาที่สั้นลงหรือคำค้นหาอื่น
ค้นหาหมายเลขชิ้นส่วนครั้งละหนึ่งรายการ
ใช้ครั้งละ 1 ตัวกรอง

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

คำที่แนะนำในการค้นหา

ผลิตภัณฑ์และผู้ผลิต

มีคำถามเพิ่มเติมหรือไม่

สำนักงานฝ่ายบริการลูกค้า

บริษัท

แหล่งข้อมูล

ความช่วยเหลือ