ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

NCV57001FDWR2G

Name: onsemi NCV57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001FDWR2G
Price: 183.65 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

863-NCV57001FDWR2G

หมายเลข Mfr.:

NCV57001FDWR2G

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

เอกสารข้อมูลสินค้า:

NCV57001FDWR2G เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi NCV57001FDWR2G

มีอยู่ในสต็อก: 1,187

สต็อก:: 1,187 สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 26 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

เวลารอสินค้าของผลิตภัณฑ์นี้มีระยะเวลานาน

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿183.65	฿183.65
	฿122.85	฿1,228.50
	฿88.20	฿8,820.00
	฿86.63	฿43,315.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 1000 จำนวนหลายชิ้น)
	฿73.40	฿73,400.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	ตัวขับเกตแบบแยกกระแสไฟฟ้า
มาตรฐาน RoHS:
ระดับ:	NCV57001FDWR2G
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 40 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 125 C
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	10 ns
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	15 ns
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
การกำหนดคุณสมบัติ:	Inverting, Non-Inverting
จำนวนไดร์ฟเวอร์:	1 Driver
จำนวนขาออก:	1 Output
กระแสขาออก (1):	4 A
สินค้า:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
ประเภทสินค้า:	Galvanically Isolated Gate Drivers
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	1000
หมวดหมู่ย่อย:	PMIC - Power Management ICs
การจ่ายแรงดัน (สูงสุด):	5 V
การจ่ายแรงดัน (ต่ำสุด):	3.3 V

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

NCV57001FDWR2G เอกสารข้อมูลสินค้า

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV57001F IGBT Gate Driver

onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation designed for high system efficiency and reliability. This gate driver features complementary inputs, open-drain FAULT, and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. This gate driver provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. Typical applications include automotive power supplies, hybrid/electric vehicle (HEV/EV) powertrains, BSG inverters, and positive temperature coefficient (PTC) heaters.