ดูเหมือนว่าคุณได้ปิดใช้งาน JavaScript ในเบราว์เซอร์ของคุณ บางฟังก์ชันในหน้านี้จะใช้ไม่ได้จนกว่าคุณจะเข้าสู่ระบบ

NTTFSSCH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSCH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH1D3N04XL
Price: 83.53 THB
Availability: InStock

รูปภาพนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
ดูข้อมูลจำเพาะของสินค้า

หมายเลขของ Mouser:

863-NTTFSSCH1D3N04XL

หมายเลข Mfr.:

NTTFSSCH1D3N04XL

Mfr.:

onsemi

คำอธิบาย:

MOSFETs T10S 40V PC33 SOURCE DOWN

วัฏจักร:

สินค้าใหม่:

สินค้าใหม่จากผู้ผลิตนี้

เอกสารข้อมูลสินค้า:

NTTFSSCH1D3N04XL เอกสารข้อมูลสินค้า

โมเดล ECAD:

ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD

ข้อมูลเพิ่มเติม

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ onsemi NTTFSSCH1D3N04XL

มีอยู่ในสต็อก: 156

สต็อก:: 156

สามารถจัดส่งได้ทันที

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่คาดคิด โปรดลองอีกครั้งในภายหลัง
ในการสั่งซื้อ:: 10,000

17/4/2569 ที่คาดหวัง
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:: 24

สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้

ป้อนจำนวน:

จำนวนขั้นต่ำ: 1 หลายรายการ: 1

หน่วยราคา:

฿-.--

ต่อ ราคา:

฿-.--

โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน	หน่วยราคา	ต่อ ราคา
	฿83.53	฿83.53
	฿53.95	฿539.50
	฿38.68	฿3,868.00
	฿32.18	฿16,090.00
	฿29.80	฿29,800.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 5000 จำนวนหลายชิ้น)
	฿25.32	฿126,600.00
25,000	เสนอราคา

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์	ค่าแอตทริบิวต์	เลือกแอตทริบิวต์
ผู้ผลิต:	onsemi
ประเภทสินค้า:	MOSFET
มาตรฐาน RoHS:
เทคโนโลยี:	Si
รูปแบบการติด:	SMD/SMT
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	WDFN-9
ขั้วทรานซิสเตอร์:	N-Channel
จำนวนช่องสถานี:	1 Channel
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source:	40 V
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง:	207 A
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on:	1.3 mOhms
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส:	20 V
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ :	2.2 V
Qg - ชาร์จเกต:	28 nC
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 55 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 175 C
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	107 W
โหมดช่องสัญญาณ:	Enhancement
การบรรจุ:	Reel
การบรรจุ:	Cut Tape
เครื่องหมายการค้า:	onsemi
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:	4 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด:	123 S
ประเภทสินค้า:	MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:	5 ns
ระดับ:	NTTFSSCH1D3N04XL
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน:	5000
หมวดหมู่ย่อย:	Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป:	43 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป:	18 ns

ผลิตภัณฑ์ที่พบ:

เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้

แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0

กรองเอกสาร:

เอกสารข้อมูลสินค้า

NTTFSSCH1D3N04XL เอกสารข้อมูลสินค้า

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET is engineered to handle high currents, which is crucial for DC-DC power conversion stages. This 40V, 207A, single N-channel power MOSFET offers lower on-resistance, increased higher power density, and superior thermal performance. The shield gate trench design provides an ultra-low gate charge and 1.3mΩ R_DS(on). The compact 3.3mm x 3.3mm source-down dual cool GEN2 package is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant. onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET is designed to provide an efficient solution for data center and cloud applications.