TP65H035G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H035G4YS 650V SuperGaN® Field Effect Transistor (FET) is a 35mΩ gallium nitride (GaN) FET offered in a four-lead TO-247 package. This normally off-device uses Renesas Electronics's Gen IV platform and combines a high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET, resulting in superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform utilizes advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. The platform also improves efficiency over silicon via lower gate charge, crossover loss, output capacitance, and reverse recovery charge. This four-lead TP65H035G4YS SuperGaN device can be used as an original design-in option or as a drop-in replacement for four-lead silicon and SiC solutions supporting power supplies at 1kW and up. Ideal applications for the Renesas Electronics 650V SuperGaN FET include datacom, industrial, PV inverters, and servo motors.

ผลการค้นหา: 3
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน
 Mfr.
คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ
จำนวน มาตรฐาน RoHS โมเดล ECAD รูปแบบการติด
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์
ขั้วทรานซิสเตอร์
จำนวนช่องสถานี
Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source
Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง
Rds On - ความต้านทานเมื่อ Drain-Source มีสถานะ on
Vgs - แรงดันระหว่างเกตและซอร์ส
Vgs th - แรงดันไฟฟ้าแรกเริ่มระหว่างเกตและแหล่งจ่ายไฟ
Qg - ชาร์จเกต
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน
Pd - กำลังงานสูญเสีย
โหมดช่องสัญญาณ
ยี่ห้อ
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 26 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 1,200
หลายรายการ: 1,200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 16 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 2,000
หลายรายการ: 2,000
ม้วน: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
เอกสารข้อมูลสินค้า
ระยะเวลาการจัดส่งสินค้าที่ไม่มีในสต็อก 16 สัปดาห์
จำนวนขั้นต่ำ: 2,000
หลายรายการ: 2,000
ม้วน: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN