RD3S100AAFRATL

ROHM Semiconductor
755-RD3S100AAFRATL
RD3S100AAFRATL

Mfr.:

คำอธิบาย:
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

เอกสารข้อมูลสินค้า:
โมเดล ECAD:
ดาวน์โหลด Library Loader ได้ฟรีเพื่อแปลงไฟล์นี้สำหรับเครื่องมือ ECAD ของคุณ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล ECAD
ข้อมูลเพิ่มเติม
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL

มีอยู่ในสต็อก: 2,856

สต็อก:
2,856 สามารถจัดส่งได้ทันที
ระยะเวลารอสินค้าจากโรงงาน:
16 สัปดาห์ เวลาการผลิตของโรงงานโดยประมาณสำหรับปริมาณที่มากกว่าที่แสดงไว้
จำนวนขั้นต่ำ: 1   หลายรายการ: 1
หน่วยราคา:
฿-.--
ต่อ ราคา:
฿-.--
โดยประมาณ ภาษีศุลกากร:

การตั้งราคา (THB)

จำนวน หน่วยราคา
ต่อ ราคา
฿118.30 ฿118.30
฿77.68 ฿776.80
฿54.28 ฿5,428.00
฿47.45 ฿23,725.00
฿43.55 ฿43,550.00
ม้วน แบบเต็ม (สั่งซื้อ 2500 จำนวนหลายชิ้น)
฿39.98 ฿99,950.00
฿38.68 ฿193,400.00
25,000 เสนอราคา

แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์ ค่าแอตทริบิวต์ เลือกแอตทริบิวต์
ROHM Semiconductor
ประเภทสินค้า: MOSFET
มาตรฐาน RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
190 V
10 A
182 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
เครื่องหมายการค้า: ROHM Semiconductor
การกำหนดคุณสมบัติ: Single
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก: 75 ns
ทรานส์คอนดัคแตนซ์ทางตรง - ต่ำสุด: 6 S
ประเภทสินค้า: MOSFETs
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น: 20 ns
ระดับ: RD3
จำนวนต่อหีบห่อที่ผลิตจากโรงงาน: 2500
หมวดหมู่ย่อย: Transistors
ประเภททรานซิสเตอร์: 1 N-Channel
ระยะเวลาล้าช้าในการปิดเครื่องปกติทั่วไป: 140 ns
ระยะเวลาล่าช้าในการเปิดเครื่องปกติทั่วไป: 15 ns
นามแฝงของหมายเลขชิ้นส่วน: RD3S100AAFRA
น้ำหนักต่อหน่วย: 330 mg
ผลิตภัณฑ์ที่พบ:
เลือกกล่องทำเครื่องหมายอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
เลือกกล่องทำเครื่องหมายด้านบนอย่างน้อยหนึ่งรายการเพื่อแสดงผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันในหมวดหมู่นี้
แอตทริบิวต์ที่เลือก: 0 

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

เอกสารข้อมูลสินค้า

Specification Sheets

ฟังก์ชันนี้จำเป็นต้องเปิดใช้งาน JavaScript

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RD3S100AAFRA N-Ch 190V 10A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N-Ch 190V 10A Power MOSFET features a low on-resistance and fast switching speed. The RD3S100AAFRA MOSFET is can easily be set up for parallel use. The ROHM RD3S100AAFRA Power MOSFET is designed for switching power supply applications.

N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100VDSS to 100VDSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and RDS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs are high-performance switching and rectifier devices designed for use in a wide range of power and signal applications. The AEC-Q101-qualified ROHM RD3x components feature low forward voltage, fast recovery time, and high surge current capability, making the MOSFETs ideal for efficient power conversion and protection in compact electronic systems. With options tailored for automotive, industrial, and consumer electronics, the RD3 family supports applications such as DC-DC converters, motor drivers, LED lighting, and battery-powered devices. A compact surface-mount (TO-252-3) package and low leakage current contribute to space-saving and energy-efficient designs, while high reliability ensures stable performance under demanding conditions.

Automotive Solutions

ROHM Automotive Solutions contribute to the continuing evolution of the automotive sector through a stable, long-term supply of high-quality products. An expansive lineup supports the transition towards increased electrification and connectivity. ROHM can provide optimized solutions to suit various customer needs by focusing on safety, comfort, and the environment.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

เกิดข้อผิดพลาดที่ไม่ได้คาดการณ์ไว้


มีข้อสงสัยหรือไม่? โปรดไปที่ ศูนย์ความช่วยเหลือ
สําหรับคําถามเกี่ยวกับการสั่งซื้อที่เฉพาะเจาะจง โปรดเข้าสู่ระบบ บัญชีของคุณ

หากคุณพบปัญหาเพิ่มเติม โปรดติดต่อเราที่หมายเลข 800-346-6873 หรืออีเมล help@mouser.com