STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

ผลลัพธ์ทั้งหมด (2)

เลือกหมวดหมู่ด้านล่างเพื่อดูตัวเลือกในการกรองและกำหนดการค้นหาของคุณให้แคบลง
เลือก รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน Mfr. คำอธิบาย เอกสารข้อมูลสินค้า สินค้าพร้อมส่ง การตั้งราคา (THB) กรองผลลัพธ์ในตารางตามราคาต่อหน่วยที่อิงตามจำนวนของคุณ จำนวน มาตรฐาน RoHS
STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
1,00025/2/2569 ที่คาดหวัง
จำนวนขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
ม้วน: 3,000
STMicroelectronics STDRIVEG612Q
STMicroelectronics STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches ไม่มีในสต็อก
จำนวนขั้นต่ำ: 4,900
หลายรายการ: 4,900